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半導體探測器在儀器中的應用-中子檢測儀_輻射劑量率儀_輻射巡檢儀_長(cháng)桿輻射巡測儀_個(gè)人劑量報警儀_表面污染檢測儀_個(gè)人劑量?jì)x

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    REN510型便攜式γ譜儀主要用于安檢、反恐、核事故現場(chǎng)的污染分析,可進(jìn)行γ輻射劑量的測量,同時(shí)系統內置核素庫,可以自動(dòng)識別人工及天然同位素。儀器為一體式,內置2英寸NaI(Tl) γ探測器,可同時(shí)測量γ能譜、γ劑量率。儀器為全數字化,集探測器、成型放大器、多道分析器、電源、觸摸屏、內存為一體,功耗

行業(yè)新聞

半導體探測器在儀器中的應用

2017/5/23 10:44:24

半導體探測器有兩個(gè)電極,加有一定的偏壓。當入射粒子進(jìn)入半導體探測器的靈敏區時(shí),即產(chǎn)生電子-空穴對。在兩極加上電壓后,電荷載流子就向兩極作漂移運動(dòng)﹐收集電極上會(huì )感應出電

荷,從而在外電路形成信號脈沖。但在半導體探測器中,入射粒子產(chǎn)生一個(gè)電子-空穴對所需消耗的平均能量為氣體電離室產(chǎn)生一個(gè)離子對所需消耗的十分之一左右,因此半導體探測器比閃爍計數器和氣體電離探測器的能量分辨率好得多。半導體探測器的靈敏區應是接近理想的半導體材料,而實(shí)際上一般的半導體材料都有較高的雜質(zhì)濃度,必須對雜質(zhì)進(jìn)行補償或提高半導體單晶的純度。通常使用的半導體探測器主要有結型、面壘型、鋰漂移型和高純鍺等幾種類(lèi)型。金硅面壘型探測器1958年首次出現,鋰漂移型探測器60年代初研制成功,同軸型高純鍺(HPGe)探測器和高阻硅探測器等主要用于能量測量和時(shí)間的探測器陸續投入使用,半導體探測器得到迅速的發(fā)展和廣泛應用。
結型探測器  結構類(lèi)似結型半導體二極管,但用于探測粒子時(shí)要加上足夠的反向偏壓。這時(shí)電子和空穴背著(zhù)PN結移動(dòng)而形成靈敏區。結型探測器一般采用硅單晶。這是因硅具有較大的禁帶寬度,可用以保證在室溫下工作時(shí)有足夠小的漏電流。此外它的靈敏層厚度一般只有1毫米左右,故只適于探測穿透力較小的帶電粒子。

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    產(chǎn)品名稱(chēng):REN300+REN-3He-N型固定式中子、伽瑪報警儀

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    產(chǎn)品描述:REN600A型α、β、γ射線(xiàn)表面污染檢測儀即可檢測α、β、γ射線(xiàn),也能檢測到X射線(xiàn),它采用高速嵌入式微處器作為數據處理單元,點(diǎn)陣式大屏幕LCD液晶顯示,讀數清晰、操作方便,具有400條超大容量數據存儲。儀器采用進(jìn)口的大面積MICA蓋革探測器,具有較高探測效率,可進(jìn)行α、β輻射表面污染檢測和X、γ輻

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    產(chǎn)品名稱(chēng):中子及X、γ、β外照射個(gè)人劑量監測服務(wù)

    產(chǎn)品描述:放射工作人員個(gè)人劑量委托監測服務(wù)     依據《GB18871-2002電離輻射防護與輻射源安全基本標準》和《GBZ128-2002職業(yè)性外照射個(gè)人監測規范》的要求,以熱釋光個(gè)人劑量計作為監測手段,為放射工作人員提供個(gè)人劑量委托監測服務(wù),并為企業(yè)或衛生行政部

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